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武汉新芯宣布高端BSI芯片累计出货超过1亿颗

2015-03-06 10:00 12816
武汉新芯集成电路制造有限公司(XMC)今日宣布其采用晶圆级3D键合(3D Bonding)技术生产的背照式影像传感器(BSI)芯片累计出货超过1亿颗,覆盖500万到2300万像素的中高端产品线。

武汉2015年3月6日电 /美通社/ -- 武汉新芯集成电路制造有限公司(XMC),一家迅速发展的300MM 集成电路制造公司,今日宣布其采用晶圆级3D 键合(3D Bonding)技术生产的背照式影像传感器(BSI)芯片累计出货超过1亿颗,覆盖500万到2300像素的中高端产品线。同时,采用更先进的3D 堆栈式(3D Stacking)技术生产的影像传感器(CIS)产品也已经投入生产。这标志着武汉新芯3D 集成技术已经完全成熟,进入世界一流3D 集成电路产品制造商。

武汉新芯一直致力于开发特种新工艺,为客户提供兼具性能和成本优势的整体解决方案。自2012年年底开始的晶圆级3D 集成电路研发工作, 经过与合作伙伴一年多的努力,于2014年初成功完成并开始量产 BSI 产品。一年后的今天,在 BSI 的基础上成功自主研发出3D stacking 技术,能够将两片不同线宽、不同工艺的晶圆牢固键合,并使两片晶圆上几千个对应的硅芯片一次性完成电性互联,同时满足集成度、可靠性、生产效率的提升。

“在 CIS 产品领域,3D stacking 技术目前仅在日本 Sony 公司实现量产应用,帮助 Sony 的产品占领了高端智能手机绝大多数的市场份额。武汉新芯3D stacking 技术的出现打破了垄断,将帮助我们合作伙伴的产品进入高端市场,有利于推动整个 CIS 市场的良性发展。”武汉新芯技术长梅绍宁博士表示,“接下来,我们将利用在3D stacking 方面获得的宝贵经验,继续自主研发更先进的3D 集成技术。届时,我们能够实现不同晶圆上两个不同芯片核心层的直接互联,达到和片内集成一样的高性能和低功耗。3D 集成技术预计将是突破摩尔定律持续发展的重要途径,也是武汉新芯树立自己在世界3D 集成电路领先地位的关键优势。”

消息来源:武汉新芯
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