深圳2019年3月8日 /美通社/ -- 全球市场研究机构集邦咨询TrendForce在最新《中国半导体产业深度分析报告》中指出，受益于新能源汽车、工业控制等终端市场需求大量增加，MOSFET、IGBT等多种产品持续缺货和涨价，带动了2018年中国功率半导体市场规模大幅成长12.76%至2,591亿元人民币。其中功率分立器件市场规模为1,874亿元人民币，较2017年同比成长14.7%；电源管理IC市场规模为717亿元人民币，较2017年同比增长8%。
集邦咨询分析师谢瑞峰指出，功率半导体作为需求驱动型的产业，2019年景气仍然持续向上。虽然仍受到全球贸易不稳定等因素影响，但在需求驱动下，受影响程度要小于其他IC产品。集邦咨询预估，2019年中国功率半导体市场规模将达到2,907亿元人民币，较2018年成长12.17%，维持双位数的成长表现。
受益于国产替代的政策推动和缺货涨价的状况，2018年多家中国本土功率半导体厂商取得亮眼的成绩，并扩大布局。其中，比亚迪微电子凭借拥有终端的优势，在车用IGBT市场快速崛起，取得中国车用IGBT市场超过两成的市占率，一跃成为中国销售额前三的IGBT供应商；MOSFET厂商华微电子和扬杰科技营收大增，并且逐渐导入IGBT市场。
另外，新建与规划中的IGBT产线有士兰微厦门12寸特色工艺产线、华润微电子在重庆建设的12寸特色工艺产线，以及积塔半导体专业汽车级IGBT产线等。同时，多家厂商也投入研发SiC等新材料技术领域，基本半导体的SiC MOSFET已进入量产上市，而定位为代工的三安光电SiC产线也已开始接单、比亚迪微电子也已研发成功SiC MOSFET，其目标是到2023年实现SiC MOSFET对硅基IGBT的全面替代。
展望2019年，从终端需求来看，新能源汽车仍然为中国功率半导体市场较大需求来源，根据集邦咨询资料显示，2019年中国新能源车产量预估为150万辆，较前一年成长45%，其ADAS系统、电控以及充电桩的需求将带动功率分立器件市场规模约270亿元。同时，5G建设所需的基站设备及其普及后带来物联网、云计算的快速发展，将对功率半导体产生长期大量需求，另外，工业自动化规划持续推进，与之相关的电源、控制、驱动电路将持续推升中国功率半导体的采购。
从供应端来看，2019年虽然有3-5条功率产线将进入量产，但根据集邦咨询预计，2019年前三季度功率分立器件产品缺货情况恐难有明显好转，多家厂商的产品价格预期仍将上涨。从厂商的技术发展来看，SiC MOSFET有望进一步提高在车用领域对硅基IGBT的替代率，硅基IGBT则有望向更低功耗、更高效率的方向继续发展。
