纽约州布赖尔克利夫马诺2015年4月23日电 /美通社/ -- Solar-Tectic LLC （简称ST）今天宣布，美国专利商标局(USPTO)已向公司的多项技术颁发了一项主要专利（50多个专利申请范围），其中包括在普通玻璃等廉价衬底上生长单晶体、高度织构或大粒径半导体薄膜的技术。这些技术是由已故的1995年美国国家技术奖得主Praveen Chaudhari博士发明，可应用于太阳能、显示器和LED等多个行业。
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美国专利(12/774,465)“在器件上生长异质外延单晶体或大粒径半导体薄膜的方法”(Methods of Growing Heteroepitaxial Single Crystal or Large Grained Semiconductor Films and Devices Thereon)揭示了改良的气液固薄膜生长技术，该技术首次实现了采用硅、锗和氮化镓等各种材料在廉价衬底上生长的高品质半导体薄膜的低温沉积。
具有成本效益、类似纳米线的薄膜生长工艺，其中包括低共熔合金，非常适合大规模工业应用，可采用当前用于多个行业的电子束和化学气相沉积等普通沉积工艺实现。
一般咨询或技术授权，请联系Carter Ledyard & Milburn LLP，电邮：davis@clm.com，电话：+1-212-238-8850。
Solar-Tectic LLC简介 Solar-Tectic LLC是一家薄膜专业公司，主要专注于为在玻璃或金属衬底上生长单晶或高度织构半导体薄膜开发专利技术。该公司拥有广泛的相关领域技术和知识产权组合（基于已故的材料科学家和1995美国国家技术创新奖得主Praveen Chaudhari博士的发明）。过去一年内，多篇有关相关领域研发进展的论文得到发表，其中包括S. McMahon等人撰写的《通过电子束蒸发在缓冲的钠钙玻璃上生长高度织构硅[111]晶体薄膜》(Highly textured silicon [111] crystalline thin-film onbuffered soda-lime glass by e-beam evaporation)和A Chaudhari等人撰写的《通过电子束在缓冲的钠钙玻璃上生长Al203晶体》(Crystalline Al203 onbuffered soda-lime glass by e-beam)。
