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可将交流/直流电源适配器体积缩小一半
上海2023年12月1日 /美通社/ -- 德州仪器 (TI)（NASDAQ 代码：TXN）今日发布低功耗氮化镓 (GaN) 系列新品，可助力提高功率密度，大幅提升系统效率，同时缩小交流/直流消费类电力电子产品和工业系统的尺寸。德州仪器的 GaN 场效应晶体管 (FET) 全系列产品均集成了栅极驱动器，能解决常见的散热设计问题，既能让适配器保持凉爽，又能在更小的尺寸中提供更高功率。
德州仪器高电压电源部总经理 Kannan Soundarapandian 表示："如今，消费者需要更小、更轻、更便携，同时还能快速充电的高能效电源适配器。借助我们发布的新品，设计人员可将低功耗 GaN 技术的功率密度优势应用到更多消费者日常使用的产品中，如手机和笔记本电脑适配器、电视电源装置和 USB 墙壁插座。此外，德州仪器的产品组合还能满足电动工具和服务器辅助电源等工业系统对高效率紧凑型设计日益增长的需求。"
带集成栅极驱动器的全新 GaN FET 产品组合包括 LMG3622、LMG3624 和 LMG3626，提供业界超精确的集成电流检测功能。与使用分立式 GaN 和硅 FET 的传统电流检测电路相比，由于集成电流检测功能，无需再连接外部分流电阻器，同时可将相关功率损耗降低高达 94%，帮助设计人员大幅提高效率。
大幅提高能效并简化散热设计
TI 带集成栅极驱动器的 GaN FET 可实现更快的开关速度，有助于防止适配器过热；还支持设计人员将小于 75W 的交流/直流应用的系统效率提升至 94%，将大于 75W 的交流/直流应用的系统效率提升至 95% 以上。与硅基解决方案相比，我们的全新器件可帮助设计人员将典型 67W 电源适配器解决方案的尺寸缩小多达 50%。
该产品组合还针对交流/直流电源转换中常见的拓扑结构（如准谐振反激式、非对称半桥反激式、电感-电感转换器、图腾柱功率因数校正和有源钳位反激式）进行了优化。
长期投资氮化镓制造
德州仪器的自有制造历史悠久、遍及全球且呈现区域多元化的特点，在全球 15 个制造基地中包括多家晶圆制造厂、封装测试厂以及凸点加工厂和晶圆测试厂。十年多来，德州仪器一直致力于研究与发展氮化镓技术。
德州仪器计划到 2030 年自有制造 90% 以上的产品，因此，在未来数十年内能为客户提供更可靠的产能。
封装和供货情况
TI.com/GaN 现已提供可量产的 LMG3622 和 LMG3626 器件和预量产的 LMG3624 器件。
关于德州仪器（TI）
德州仪器（TI）（纳斯达克股票代码：TXN）是一家全球性的半导体公司，致力于设计、制造、测试和销售模拟和嵌入式处理芯片，用于工业、汽车、个人电子产品、通信设备和企业系统等市场。我们致力于通过半导体技术让电子产品更经济实用，创造一个更美好的世界。如今，每一代创新都建立在上一代创新的基础之上，使我们的技术变得更小巧、更快速、更可靠、更实惠，从而实现半导体在电子产品领域的广泛应用，这就是工程的进步。这正是我们数十年来乃至现在一直在做的事。欲了解更多信息，请访问公司网站www.ti.com.cn。
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