深圳2023年9月13日 /美通社/ -- 9月13日， 由开放数据中心委员会（ODCC）主办的"2023开放数据中心峰会"在北京国际会议中心顺利召开。三星电子副总裁，存储器新事业企划部门负责人崔璋石（Jangseok Choi）在会上发表了"人工智能、机器学习和数据时代的存储解决方案"的主题演讲。同时，在展位上三星半导体向参会者展示了适配人工智能和机器学习的大数据时代的存储产品。
ODCC大会上公布了本年度DC-Tech算力强基行动相关评估结果，三星固态硬盘PM893a/PM897a/PM1743 E3.S /PM9D3a凭借高速率读取、低成本、高可靠等优势，获评"优秀产品"称号。
2023年正值ODCC成立十周年，为促进三星与ODCC的持续稳定合作，同时为业界的企业级SSD的测试验证工作贡献一份力量，三星向ODCC捐赠SITS (Samsung/ SSD Intelligent Test System) 系统的永久使用权。SITS是一款专门为固态硬盘测试和评估而设计的软件。它可以帮助用户更便捷更高效地测试固态硬盘的性能和稳定性，并可提供详细的测试报告。
三星电子中国总括（DS）SSD技术赋能中心总监金东建向ODCC捐赠SITS永久使用权仪式
在三星本次的主题演讲上，三星电子副总裁崔璋石通过介绍"图灵测试"引出机器是否具备思考能力的问题，指出机器越来越具备"思考能力"的重要原因之一就是内存容量。尤其在人工智能和机器学习领域，更高的内存容量意味着更好的性能表现。
三星电子副总裁，存储器新事业企划部门负责人崔璋石（Jangseok Choi）发表主题演讲
同时他提出，由于内存容量受到中央处理器的限制，我们必须充分利用存储扩展器技术（CXL Technology）和微调分层（Fine-tuned Tiering）解决方案，迈向以内存为中心的异构架构（Heterogeneous Memory-centric Architecture）。
接着，他介绍了三星一系列面向人工智能和机器学习的存储产品。例如，针对高性能计算优化的高带宽存储"HBM3E"，与上一代产品相比，其传输速率将提高43%，每千兆字节（GB）的功耗将减少20%；还有计划年底可供应的32Gb DDR5 DRAM (第五代双倍数据率同步动态随机存储器)，这意味着DRAM内存模组的最大容量从512GB提高到1TB；以及三星首个8个NAND通道的超高性能PCIe 5.0数据中心专用固态硬盘 -- PM9D3a。
随后，他介绍了未来三星将提供的大规模存储解决方案。包括能够处理SRAM大规模工作负载的LLC DRAM解决方案，基于CXL的存储扩展器（CXL Memory Expander），以及基于CXL的内存-语义固态硬盘（Memory-Semantic SSD）。在这里他强调了CXL具有不受处理器容量和带宽限制，不受存储类型和迭代限制，以及具备更灵活的设计适配性、帮助企业降本增效的三大优势。尤其是内存-语义固态硬盘（Memory-Semantic SSD）能让数据在内存和存储之间高效迁移。最近，三星凭借此产品开发DLRM的应用发现，得益于DRAM的缓存功能，成功实现了高于传统固态硬盘7倍的模型吞吐量。
ODCC 2023三星半导体展台
不得不提的是三星持续研发中的千兆级超高容量存储解决方案"PBSSD"，它具备每1U超过千兆的超大容量，高达400GbE NVMe-oF的高性能，以及闪存运行状况监控、自动故障恢复的超强管理能力，和更高的安全性。
最后，三星还表示，开放协作是共迎光明未来的方向。希望CPU、GPU、内存、存储、网络、模型和ASICs等各领域的合作伙伴达成更紧密的协作关系，不断扩大合作，共同克服内存技术的挑战，携手创造一个更安全、更便捷、充满无限可能的未来。
