新思科技与三星联合开发的端到端射频设计参考流程和设计解决方案套件，并集成了Ansys的领先技术，以加快设计完成
加州山景城2022年8月11日 /美通社/——新思科技（纳斯达克股票代码：SNPS）近日宣布推出射频（RF）设计参考流程和配套的设计解决方案套件（DSK），以加快三星电子（以下简称为"三星"）的8nm射频低功耗FinFET工艺的设计并提高产能，从而帮助双方客户加速开发用于5G/6G应用中的射频设计。8nm射频设计参考流程采用了新思科技和Ansys的无缝整合的解决方案，助力下一代射频设计提高完成质量，缩短完成时间，降低实现成本。
三星电子晶圆代工事业部设计团队副总裁Sangyun Kim表示："三星新的射频解决方案，即8nm 射频工艺技术，可以提高5G通信芯片的性能和能效比。当前，世界对于超紧密连接的需求日益增长，我们很高兴与新思科技、Ansys紧密合作开发8nm 射频设计参考流程和设计解决方案套件，以更好地支持共同客户满足对于设计复杂性的需求。"
在数字世界中实现更广的连接
先进节点的模拟和射频设计是推动"万物智能"数字世界发展的应用中不可或缺的一部分。然而，面对5G/6G、汽车和高性能计算等应用的带宽和延迟要求，对于芯片设计的要求往往复杂且耗时。全新推出的8nm 射频设计参考流程简化了开发过程，能够通过行业领先的电路仿真和版图能效比以及精确的电磁（EM）建模，加速版图设计周转时间。该参考流程纳入了使用新思科技和Ansys的工具进行射频设计的成熟方法，包括原理图设计、仿真、版图、提取、电磁（EM）仿真和物理验证。相关的DSK包含一套应用说明、教程和设计实例，涵盖了先进的设计方法，包括：
该流程的关键要素包括新思科技定制设计系列产品，其中有新思科技 Custom Compiler™设计和版图产品、新思科技PrimeSim™电路仿真产品、新思科技 StarRC™寄生参数提取签核产品和 新思科技 IC Validator™物理验证产品；Ansys VeloceRF电感元件和传输线综合产品；以及Ansys RaptorX™和Ansys RaptorH™先进纳米电磁分析产品。
Ansys研发部副总裁Yorgos Koutsoyannopoulos表示："很高兴能与新思科技和三星合作开发射频设计参考流程。通过与新思科技Custom Compiler设计和PrimeSim仿真解决方案无缝协作，Ansys电感器设计和电磁提取工具拥有行业领先的能力以解决极具挑战性的设计并为所有先进工艺建模，实现了完整的端到端射频设计流程。我们共同为射频设计模块的设计、优化和验证提供了一个直观和易用的流程。"
新思科技工程部副总裁Aveek Sarkar表示："新思科技和三星有着紧密合作的历史，赋能我们的共同客户通过三星设计工艺实现平滑和富有成效的设计工作流程。基于我们与Ansys的密切合作，全新射频设计参考流程和DSK有效简化了开发先进无线系统的过程，而这些系统将继续推动我们的智能世界的发展。"
