日本横滨2021年11月17日 /美通社/ -- Fujitsu Semiconductor Memory Solution Limited已推出带并行接口的8Mbit FRAM MB85R8M2TA存储器，这也是Fujitsu首款支持100万亿次读/写周期的FRAM系列产品。评估样本目前已发布。
网址：https://www.fujitsu.com/jp/group/fsm/en/products/fram/device/parallel-8m-mb85r8m2ta.html
图1—MB85R8M2TA封装：
https://kyodonewsprwire.jp/prwfile/release/M106685/202111113210/_prw_PI4fl_1D8dFJht.jpg
FRAM是一款非易失性存储产品，具有高读写耐久性、高速写入、低功耗等优点，已批量生产20多年。
网址：https://www.fujitsu.com/jp/group/fsm/en/products/fram/features/
MB85R8M2TA存储器配有与SRAM兼容的并行接口，可在1.8V-3.6V的电源电压范围内工作。新款FRAM在快页模式下可实现25ns的访问时间，因此在持续数据传输时的访问速度可与SRAM相媲美。与Fujitsu的传统产品相比，该存储器实现了高速运行（访问速度提高约30%）和低功耗（工作电流减少10%）。这款存储器IC是SRAM的理想替代产品，可用于需要高速运行的工业机器。
图2—FRAM用例：
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图3—电流比较：
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从上述特点来看，新款8Mbit FRAM可在某些情况下省去SRAM所必需的数据备份电池，为客户带来好处。
图4—用非易失性存储器替换SRAM时会遇到的问题及解决方案：
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Fujitsu Semiconductor Memory Solution致力于开发高性能产品，为可持续发展的社会做出贡献。例如，该公司在不断开发低功耗FRAM产品。通过降低产品功耗，该公司旨在减少二氧化碳和温室气体排放。
Fujitsu将继续满足市场和客户的需求和要求，同时开发环保型存储产品。
