 |
全新的3.0V 1Gb-4Gb密度2KB/4KB页面第一代串行（SPI）NAND和1Gb-4Gb密度2KB页面第三代并行NAND ML-3产品系列，具有先进的安全功能
加利福尼亚州圣何塞2021年10月11日 /美通社/ -- 嵌入式存储解决方案全球领导者SkyHigh Memory Limited将在其NAND闪存系列中推出3.0V 1Gb-4Gb密度4KB页面和2KB页面ML-3产品。全新的1Gb-4Gb ML-3 SLC NAND闪存产品系列设备的设计采用了业界最先进的1纳米SLC NAND产品技术节点。
可提供不同接口，SkyHigh Memory第一代串行（SPI）SLC NAND和第三代并行SLC NAND补强了已在生产中的第三代ML-3 4Gb-16Gb并行SLC NAND产品系列。
新的1Gb-4Gb设备将用于支持在最高达105°C的扩展温度下存储关键数据的高可靠性系统。借助其内部ECC引擎，ML-3产品系列可以支持低至1位ECC引擎的芯片组，以适应传统芯片组和具有更高ECC引擎的现代芯片组。
ML-3产品系列还具有多种安全功能，可保护敏感启动代码、系统固件和应用完整性免受恶意软件的影响。
ML-3产品系列设备非常适合用于高可靠性的和/或安全的应用，如工业控制、联网设备、物联网应用和机顶盒。
“我们全面的ML-3 NAND闪存系列具有高可靠性和增强的安全性，以及高性能应用所需的串行和并行接口，”SkyHigh Memory首席执行官GH Bae表示。“推出这个系列符合我们为快速增长的目标市场（工业、联网和物联网）提供高可靠性和安全存储解决方案的战略。”
安全系统设计需要存储元件，从而保护存储数据免受编程和删除操作的影响。SkyHigh Memory ML-3 SLC NAND闪存设备提供两种传统上在SLC NAND竞品中不存在的保护机制：易失性和永久性区块保护方法。借助易失性区块保护，可以保护整个内存内容。在这种方法中，保护参数设置具有易失性，因此必须在上电时加载到设备。借助永久性区块保护，保护参数设置是永久性的，在产品生命周期内仅需编程一次。可永久保护多达64Mb的数据。此外，ML-3 SLC NAND产品系列设备包含1Mb的OTP，这是市面上所有SLC NAND中最大的OTP。
ML-3串行（SPI）SLC NAND是SkyHigh Memory的第一代串行接口SLC NAND内存。该设备采用8引脚LGA（6mm x 8mm）封装，可节省电路板空间并简化电路板布局。有关该系列的更多信息，请访问 http://www.skyhighmemory.com/ML-3_Serial_(SPI)_Interface。
ML-3并行SLC NAND提供通向SkyHigh Memory第一和第二代并行接口SLC NAND内存的迁移路径，外形和适用性均可兼容。这些设备采用行业标准封装：48引脚TSOP（12mm x 20mm）和63焊球BGA（9mm x 11mm）。有关该系列的更多信息，请访问 http://www.skyhighmemory.com/ML-3-Parallel_Interface_SLC_NAND。
供应情况
SkyHigh Memory 2Gb和4Gb ML-3串行（SPI）和并行SLC NAND闪存现可提供样品。
SkyHigh Memory 1Gb ML-3串行（SPI）和并行SLC NAND闪存将于2022年1月提供样品。
