亮点:
加利福尼亚州圣何塞2021年5月25日 /美通社/ -- Rambus Inc.(纳斯达克股票代码:RMBS)作为业界领先的芯片和IP核供应商,致力于使数据传输更快更安全。今天宣布推出Rambus HBM2E内存接口子系统,该子系统包括一个完全集成的PHY和控制器,在三星先进的14 / 11nm FinFET工艺上经过硅验证。 通过利用30多年的信号完整性专业知识,Rambus解决方案的运行速度高达3.2 Gbps,可提供410 GB / s的带宽。 这种性能满足了TB级带宽加速器的需求,此类加速器针对性能要求最为严苛的AI / ML训练和高性能计算(HPC)应用。
三星电子设计平台开发副总裁Jongshin Shin说:“我们与Rambus的合作将业界领先的内存接口设计专业知识与三星最尖端的工艺和封装技术结合在一起。AI和HPC系统的设计人员可以使用HBM2E内存实现平台设计,利用三星先进的14 / 11nm工艺,以达到无与伦比的性能水平。”
完全集成的,可投入生产的Rambus HBM2E内存子系统以3.2 Gbps的速度运行,为设计人员在平台实现上提供了很大的裕量空间。 Rambus和三星合作,通过利用三星的14/11nm工艺和先进的封装技术对HBM2E PHY和内存控制器IP核进行硅验证。
Rambus IP部门总经理Matt Jones表示:“由于硅片的运行速度高达3.2 Gbps,客户可以为自己的设计留出足够的余地来实现HBM2E存储器子系统。客户将受益于我们的全面支持,其中包括2.5D封装和中介层参考设计提供,有助于确保客户一次到位成功实现。”
Rambus HBM2E内存接口(PHY和控制器)的优点:
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