-- SiWare(TM) Memory, SiWare(TM) Logic, SiPro(TM) MIPI and Intelli(TM) DDR 伙伴关系将中芯65纳米低漏电工艺至臻完善
美国加利福尼亚州弗里蒙特和中国上海2010年5月24日电 /美通社亚洲/ -- 备受半导体产业信赖的 IP 供应商 Virage Logic 公司 (NASDAQ:VIRL) 和中国先进的半导体制造商中芯国际集成电路有限公司（中芯国际，纽约证券交易所交易代码：SMI，香港联交所交易代码：0981.HK）今天宣布其长期合作伙伴关系扩展到包括65纳米（nanometer）的低漏电（low-leakage）工艺技术。根据协议条款，系统级芯片（SoC）设计人员将能够使用 Virage Logic 开发的，基于中芯国际65纳米低漏电工艺的 SiWare(TM) 存储器编译器，SiWare(TM) 逻辑库，SiPro(TM) MIPI 硅知识产权 (IP) 和 Intelli(TM) DDR IP。这一联合协议是 Virage Logic 与业界领先的代工厂业务扩展战略的一个组成部分，也是中芯国际承诺为其客户提供一个完整的 IP 解决方案的兑现。
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“作为中国首屈一指的代工厂，我们与 Virage Logic 公司拓展合作伙伴关系将使中芯国际能够提供更多业界领先的65纳米低漏电工艺的半导体 IP，这不仅能满足来自中国本地的系统级芯片开发人员的需要，亦将助益我们开发全球半导体市场。”中芯国际资深副总裁兼首席商务官季克非表示。“目前我们已经有一些客户正积极利用中芯国际的65纳米低漏电工艺及 Virage Logic 公司相关 IP 进行芯片项目的开发。我们期待持续发展与 Virage Logic 的合作关系，不断满足日益增长的市场需求。”
“我们很高兴能够在65纳米低漏电工艺方面扩大与中芯国际的伙伴关系。Virage Logic 开发的业界领先的 IP 产品将能够让更多的客户选择中芯国际作为他们65纳米制造的主要供应商，” Virage Logic 公司市场和销售执行副总裁 Brani Buric 表示。“作为代工厂赞助的 IP 产品计划之一，我们的 SiWare(TM) 存储器编译器和 SiWare(TM) 逻辑库将免费提供给终端用户使用，中芯国际对此充分肯定其战略意义。除此之外我们的 SiPro(TM) MIPI 和 Intelli(TM) DDR 标准高速接口 IP 也为用户提供了一个经验证的解决方案，使得各地的设计师都能在他们的65纳米低漏电设计中选择世界一流的 IP。”
关于 Virage Logic的SiPro(TM) MIPI IP
SiPro MIPI DSI（显示串行接口），CSI（摄像头串行接口）控制器以及物理层 D-PHY，在保证良率的同时，提供性能、面积、功耗的优化方案。SiPro 为移动设备摄像头和显示接口提供无缝连接方案，并已通过系统级验证。该 IP 方案被大量应用于移动 SoC，已在65低电压工艺经过产品验证，并可用于40低电压工艺。
关于 Virage Logic 的 Intelli(TM) DDR 接口 IP 解决方案
Intelli DDR 存储器接口产品拥有为 DDR1，DDR2，DDR3提供较好性能，较低触发时间的智能存储器控制器；较低功耗，较大带宽的移动 SDR，移动 DDR，低功耗 DDR(LPDDR) 以及 LPDDR2存储控制器；并为 DRAM 提供高速、全数字 DDR SDRAM PHY+DLL 方案以及先进的高可配置型 DDR IO。与模拟方案相比，全数字的 Intelli PHY+DLL 方案最多可节省25%的功耗，并缩小多达20%的面积，为高性能、低功耗应用提供优化的硬核方案。
关于 Virage Logic 的 SiWare(TM) 存储器和 SiWare(TM) 逻辑产品
于2007年10月首次推出的65nm Siware 产品线，可满足先进工艺物理 IP 日益复杂的设计要求，目前在40nm 工艺已有超过40家客户。该产品线能针对先进工艺，提供优化的功耗方案，较大程度降低静态功耗和动态功耗。Siware 高密度存储编译器能产生最小面积的存储器。Siware 高速存储编译器能帮助设计者解决最具挑战的关键路径要求。工艺极限变量的编译时间选择，省电模式，读写余量的扩展，超低工作电压，创新的 at-speed 测试，能帮助 SOC 设计者配置出最优化方案。
所有 SiWare 存储器皆完全支持 Virage Logic 公司的 STAR 存储系统。STAR 存储系统为该公司的旗舰嵌入式存储测试和修复系统，可并用于 Virage 逻辑存储以及内部开发或者其他商业用途。为便利修复，该 STAR 存储系统使用代工厂开发的存储 eFUSE 以用于修复署名纪录的存储。STAR 存储系统采用专为先进工艺量身定制的测试算法，以提高产品可靠性及加速产品的高良率周期。
SiWare 逻辑产品线针对高性能，高密度需求，特别量身定制高性能，高密度标准单元库。该单元库包含超过1,100个基础单元，提供多通道配置以及不同的极限变量，能快速达到时序终止，同时不影响面积和功耗。
Virage Logic 的逻辑库通过对更严格的设计规则、更高的可制造性以及更好的电迁移可靠性标准的不断追求而达到良率的较大化。通过统一均衡的版图设计，使用非最小化尺寸器件使得局部的变化达到最小，并且其特性可被代工厂相应的抽取环境所精确反映。比如，能够反映出阱邻近效应，相邻电路扩散间距等 DFM 效应。
供应情况
Virage Logic的SiWare(TM) 存储器和 SiWare(TM) 逻辑产品将在2010年第三季度上市。在代工厂 IP 赞助方案的支持下，Virage Logic 将直接授权给代工厂的终端客户使用。
Virage Logic 的 SiPro(TM) MIPI 和 Intelli(TM) DDR 接口 IP 将在2010年第三季度初上市。
关于 Virage Logic
Virage Logic 是一家为复杂电路设计提供半导体硅知识产权（IP）的领先供应商。该公司拥有高度差异化的产品组合，包括处理器解决方案、接口 IP 解决方案、嵌入式 SRAM 和 NVM、嵌入式测试和良率优化解决方案、逻辑库及存储器开发软件。Virage Logic 是备受半导体产业信赖的 IP 合作伙伴，有超过400家晶圆代工厂、IDM 和无厂 IC 客户采用其方案以达到更高性能、更低功耗、更高密度、更优化良率，缩短客户的产品上市时间以及量产时间。欲得知更多信息，请浏览 http://www.viragelogic.com 。
关于中芯国际
中芯国际集成电路制造有限公司（“中芯国际”，纽约证交所股票代码：SMI，香港联合交易所股票代码：981），是世界领先的集成电路芯片代工企业之一，也是中国内地规模较大、技术先进的集成电路芯片代工企业。中芯国际向全球客户提供0.35微米到45纳米芯片代工与技术服务。中芯国际总部位于上海，在上海建有一座300mm 芯片厂和三座200mm 芯片厂。在北京建有两座300mm 芯片厂,在天津建有一座200mm 芯片厂，在深圳有一座200mm 芯片厂在兴建中，在成都拥有一座封装测试厂。中芯国际还在美国、欧洲、日本提供客户服务和设立营销办事处，同时在香港设立了代表处。此外，中芯代成都成芯半导体制造有限公司经营管理一座200mm 芯片厂，也代武汉新芯集成电路制造有限公司经营管理一座300mm 芯片厂。详细信息请参考中芯国际网站 http://www.smics.com
安全港声明（根据1995私人有价证券诉讼改革法案）
本次新闻发布可能载有（除历史资料外）依据1995美国私人有价证券诉讼改革法案的“安全港”条文所界定的“前瞻性陈述”。该等前瞻性陈述乃根据中芯对未来事件的现行假设、期望及预测而作出。中芯使用“相信”、“预期”、“打算”、“估计”、“期望”、“预测”或类似的用语来标识前瞻性陈述，尽管并非所有前瞻性声明都包含这些用语。这些前瞻性声明涉及可能导致中芯实际表现、财务状况和经营业绩与这些前瞻性声明所表明的意见产生重大差异的已知和未知的重大风险、不确定因素和其他因素，其中包括当前全球金融危机的相关风险、未决诉讼的颁令或判决，和终端市场的财政稳定。
投资者应考虑中芯呈交予美国证券交易委员会（“证交会”）的文件资料 ，包括其于二零零九年六月二十二日以20-F 表格形式呈交给证交会的年报，特别是在“风险因素”和 “管理层对财务状况和经营业绩的讨论与分析”部分，并中芯不时向证交会(包括以6-K 表格形式)，或联交所呈交的其他文件。其它未知或不可预测的因素也可能对中芯的未来结果，业绩或成就产生重大不利影响。鉴于这些风险，不确定性，假设及因素，本次新闻发布中讨论的前瞻性事件可能不会发生。请阁下审慎不要过分依赖这些前瞻性声明，因其只于声明当日有效，如果没有标明声明的日期，就截至本新闻发布之日。除法律有所规定以外，中芯概不负责因新资料、未来事件或其他原因引起的任何情况，亦不拟，更新任何前瞻性陈述。
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