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加州圣何塞2021年2月15日 /美通社/ -- MaxPower Semiconductor, Inc.（MaxPower）是高性能功率半导体产品供应商，今日宣布，在2021年2月4日的听证会之后， 美国加州北区地区法院驳回了ROHM Semiconductor USA LLC（ROHM USA）对不侵犯MaxPower专利宣告性判决的上诉。 法院认为，MaxPower与ROHM Co.，Ltd.（ROHM Japan; 6963：JPTokyo）的技术许可协议（TLA）对ROHM Japan的子公司（包括ROHM USA）具有约束力，并且该协议还要求ROHM USA仲裁其非侵权主张。
“我们感到高兴的是法院批准了我们强制仲裁的动议。我们期待着解决关于ROHM违反我们长期非排他性沟槽MOSFET技术和专利许可的争议。我们有信心在仲裁中胜诉，并且我们打算继续积极保护我们的技术资产和其他知识产权。” MaxPower总裁兼首席执行官Mohamed Darwish博士说。
MaxPower的首席顾问Roger Cook表示：“ROHM一直在使用这种不当的宣告性判决程序，以避免仲裁解决涉及ROHM销售碳化硅沟槽MOSFET的技术许可纠纷。值得庆幸的是，现在应着手解决这一纠纷。”
关于此案
面对MaxPower主张ROHM Japan违反其在技术许可协议中的义务，2020年9月23日，ROMH USA针对MaxPower提起了诉讼，寻求ROHM的碳化硅（SiC）MOSFET不侵犯MaxPower在美国的四项专利的声明性判决。法院驳回诉讼并强制ROHM USA接受仲裁的命令请见https://www.pacermonitor.com/public/case/36415380/Rohm_Semiconductor_USA,_LLC_v_MaxPower_Semiconductor,_Inc，案件号为20-cv-06686-VC。
