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SK海力士推出全球首款DDR5 DRAM

2020-10-06 10:00 18497
SK海力士宣布推出全球首款DDR5 DRAM。DDR5是新一代DRAM标准,此次SK海力士推出的DDR5 DRAM作为超高速、高容量产品,尤其适用于大数据、人工智能、机器学习等领域。

首尔2020年10月6日 /美通社/ -- SK海力士(或‘公司’,www.skhynix.com)宣布推出全球首款DDR5 DRAMDDR5是新一代DRAM标准,此次SK海力士推出的DDR5 DRAM作为超高速、高容量产品,尤其适用于大数据、人工智能、机器学习等领域。

图1. SK海力士推出1y纳米级DDR5 DRAM
图1. SK海力士推出1y纳米级DDR5 DRAM

 

图2. SK海力士推出1y纳米级DDR5 DRAM
图2. SK海力士推出1y纳米级DDR5 DRAM

SK海力士于2018年11月成功开发全球首款16Gb DDR5 DRAM之后,向英特尔等核心客户提供样品,并完成了一系列测试与性能、兼容性验证等程序。此番成果意味着SK海力士在即将到来的DDR5市场随时能够销售相关产品。

期间,SK海力士与SoC1)(System On Chip)开发公司等不同企业共同运营现场分析研究室,并通过共同执行系统级别测试(System Level Test)及各种模拟测试完成了新产品的性能验证。与此同时,SK海力士还与诸多公司紧密合作,进行了包括RCD2)(Register Clock Driver)、PMIC3)(Power Management IC)等构成模组的主要部件的兼容性验证。

SK海力士推出的DDR5 DRAM的数据传输速率高达4,800 ~ 5,600Mbps,其速率相较前一代DDR4最多提升了1.8倍。5,600Mbps的传输速率意味着能够在1秒内传输九部全高清(Full-HD, FHD)电影。不仅如此,该产品的动作电压由前一代的1.2V降到了1.1V,成功减少了20%的功耗

SK海力士DDR5 DRAM的另一个显著特征是其芯片内置型错误纠正代码(Error Correction Code, ECC);内置ECC能够依靠自身功能修复DRAM单元(cell)单字节单位的错误。有助于该特性,采用SK海力士DDR5 DRAM的系统的可信赖度有望提升二十倍。若与硅通孔(Through Silicon Via, TSV)技术相结合,更能够组成容量高达256GB的高容量模组。

SK海力士期待这种低功耗、高信赖度且绿色环保的DDR5 DRAM将帮助数据中心降低其功耗及运营成本。

英特尔数据平台部门(Data Platforms Group)的Carolyn Duran副总裁(Vice President)表示:“为了树立基于JEDEC标准的初期结构概念(early architecture concept)并完成DDR5标准规格的开发,英特尔与SK海力士维持了紧密的合作关系。双方为了确保产品性能,进行了试制产品的设计、验证;这意味着两家公司已经做好了满足客户需求的准备。”

吴钟勋SK海力士副社长兼首席营销官(Chief Marketing Officer, CMO)则表示:“SK海力士成功推出世界首款DDR5 DRAM,得以在DRAM市场占据未来技术优势。我公司将重点瞄准快速成长的高端服务器市场,进一步巩固在服务器DRAM领域拥有的领先地位。”

固态技术协会(Joint Electron Device Engineering Council,JEDEC)于2020年7月正式发布了DDR5 DRAM的标准规格。

而市场调研机构Omdia分析指出,对DDR5的市场需求将从2020年开始逐步显现;其市占率将在2022年占整个DRAM市场的10%,2024年则将进一步扩大至43%

新思科技(Synopsys),瑞萨(Renesas),澜起科技(Montage Technology),Rambus等企业也纷纷表示将为了打造DDR5生态圈而保持紧密合作关系。

负责IP营销与战略的John Koeter新思科技高级副总裁指出:“通过与SK海力士的合作,新思科技将为需要超高速、高容量存储器的高性能计算(High Performance Computing, HPC)SoC提供高信赖度的DDR5解决方案。新思科技通过SK海力士的DDR5 RDIMM模组,在最大传输速率6,400Mbps的环境下完成了‘DesignWare DDR5/4 IP’的验证,这意味着将设计者的风险最小化的同时,能够实现数据密集型的高性能SoC

Rami Sethi瑞萨副总裁兼数据中心业务部门(Data Center Business Division)总经理(General Manager)表示:“瑞萨在过去二十年作为倡导存储器接口市场的企业,对与诸多合作公司及客户建立的合作关系感到十分自豪。通过此番与SK海力士的紧密合作,瑞萨成功完成了涉及服务器、客户、内置系统等诸多应用领域的DDR5 DRAM产品的验证。”

负责销售与经营开发(Sales and Business Development)的Geof Findley澜起科技副总裁则表示:“我们非常高兴能够与SK海力士为了打造DDR5存储器生态圈而相互合作。澜起科技在早期DDR存储器萌芽之际就已经与SK海力士展开了合作关系,我公司承诺持续提供高性能、低能耗的存储器接口解决方案。目前,澜起科技能够提供涵盖不同领域的全方位DRAM模组接口产品,很高兴能够再次与SK海力士合作,为DDR5市场的加速发展添一份力。”

Chien-Hsin Lee Rambus副总裁兼集成电路部门(Integrated Circuits)总经理认为:“我们非常高兴在实现下一代新技术等领域与SK海力士合作,进而为营造DDR5生态圈贡献。我们相信,采用全新存储器接口的DDR5 DRAM模组将帮助提升服务器性能,并满足需要高容量、高带宽存储器的数据中心市场的需求。”

注解

- SoC (System on Chip)

又称系统级芯片,指将与中央处理器(CPU)及系统Bus相结合的周边电路装置(存储器控制器、PCIe Bus等)集成至单一芯片的解决方案。

- RCD (Register Clock Driver)

又称寄存时钟驱动芯片,是用于服务器DRAM模组(RDIMM、LRDIMM)的有源元件(active element),其功能是放大从存储器控制器适用至存储器的指令及数据信号,进而保障发射机(transmitter)与接收机(receiver)之间信号品质。

- PMIC (Power Management Integrated Circuit)

又称电源管理集成电路,指接收主电源输出并为电子设备提供其所需的稳定、高效的电压、电流的集成电路;PMIC是在DDR5这一代被DRAM模组首次采用。

关于SK海力士

SK海力士总部位于韩国, 是一家全球领先的半导体供应商, 为全球客户提供DRAM(动态随机存取存储器), NAND闪存(NAND快闪存储器)和CIS(CMOS图像传感器)等半导体产品。公司于韩国证券交易所上市, 其全球托存股份于卢森堡证券交易所上市。若想了解更多, 请点击公司网站www.skhynix.comnews.skhynix.com.cn

消息来源:SK海力士
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