TI推出适用于IGBT和SiC MOSFET且集成传感功能的隔离式栅极驱动器

北京2019年3月18日 /美通社/ -- 德州仪器(TI)（纳斯达克代码：TXN）近日推出多款新型隔离式栅极驱动器。它们不仅能够提供出色的监控能力，还可为高压系统构筑坚强的保护屏障。UCC21710-Q1、UCC21732-Q1和UCC21750可帮助设计师开发更小巧、更高效和具有更卓越性能的牵引逆变器、车载充电器、太阳能逆变器和电机驱动设计。如需了解更多信息，请访问UCC21710-Q1、UCC21732-Q1和UCC21750。

这些提供集成传感功能的设备系TI首创，适用于绝缘栅双极型晶体管(IGBT)和碳化硅(SiC)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)，极大简化了设计，且实现了更高的应用系统可靠性，应用的工作电压最高可达1.5KV_RMS。凭借集成式组件，它们能够进行快速检测，针对过流事件提供有效保护，并且确保系统安全关机。

UCC21710-Q1、UCC21732-Q1和UCC21750利用电容隔离技术，构建了较长的隔离势垒使用寿命，同时提供高增强隔离电压、快速数据传输和高密度封装。

“系统稳健性日益成为高压电机驱动和功率输出应用的一大挑战”，TI高压电源部门副总裁Steve Lambouses说道，“这些新式栅极驱动器采用了TI的先进隔离技术，并结合了其它功能和支持，使工程师得以更快速进入到可靠系统的生产阶段，并可将系统体积和成本降至更低。”

UCC21710-Q1、UCC21732-Q1和UCC21750产品的关键功能与优势

• 增强系统性能：新颖隔离式栅极驱动器的高峰驱动强度为+/-10 A，这使得开关行为具有较大限值，不仅削减了成本，而且200 ns的过流保护可快速启动系统保护。
• 加强系统级可靠性：UCC217xx系列通过电容隔离技术和业界领先的增强隔离电压及高达12.8 kV的电涌抗扰性，延长了隔离势垒的使用寿命。此外，这些设备借助超过150 V/ns的共模瞬变抑制能力(CMTI)，确保了准确的数据通信。
• 减小系统尺寸：这些栅极驱动器通过集成缓冲区和传感器免除了使用外部组件的需要，更可借助隔离式模拟信号到PWM（脉宽调制）信号传感器提供准确的温度、电流或电压传感，进而大幅简化系统级诊断和防止开关故障的设计。

先进的电源级系统性能与可靠性

此外，TI还宣布面向需要提高抗干扰度和扩大工作温度范围的工业应用设计师，推出UCC23513，这是一款兼容光电元件的栅极驱动器，驱动强度为3A，增强的安全隔离电压为5KV_RMS。这一新式栅极驱动器旨在大限度提高电机驱动、太阳能逆变器和电源设备的系统性能与可靠性。它提供从-40摄氏度 至 +150摄氏度的宽结点温度范围和超过100 V/ns的CMTI，使设计师能够实现传统光耦合器无法达到的性能水平。借助UCC23513与光隔离栅极驱动器的引脚到引脚兼容性以及现成的设计资源，包括用于200-480 VAC驱动的基于光电仿真输入栅极驱动器的三相逆变器参考设计等，设计师能大大缩短产品上市时间。

封装、供货情况

您可通过TI商店获得UCC21710-Q1、UCC21732-Q1、UCC21750和UCC23513栅极驱动器的预生产样品。下表列出了价格和封装类型。

前往应用电力电子会议(APEC)的TI展台参观

敬请于2019年3月17日至21日期间，莅临在加利福尼亚州阿纳海姆市举办的应用电力电子会议(APEC)上的511号TI展台，探索这些电源管理设备，了解TI为工程师提供的其它创新、设计和学习方法。

了解更多有关TI UCC21710-Q1、UCC21732-Q1、UCC21750和UCC23513栅极驱动器的信息

• 阅读白皮书“隔离式栅极驱动器的影响”及“碳化硅栅极驱动器 - 电力电子领域的颠覆性技术。”
• 下载应用指南“了解用于碳化硅MOSFET的短路保护。”
• 参考博文“替换落伍的光耦合器栅极驱动器。”
• 观看由四个视频组成的培训材料“高压隔离技术的工作原理。”