北京2018年10月30日电 /美通社/ -- 德州仪器(TI)近日宣布推出支持高达10kW应用的新型即用型600 V氮化镓(GaN),50mΩ和70mΩ功率级产品组合。与AC/DC电源、机器人、可再生能源、电网基础设施、电信和个人电子应用中的硅场效应晶体管(FET)相比,LMG341x系列使设计人员能够创建更小、更高效和更高性能的设计。有关详细信息,请访问 http://www.ti.com.cn/product/LMG3410R050-pr, http://www.ti.com.cn/product/LMG3410R070-pr 和 http://www.ti.com.cn/product/LMG3411R070-pr。
德州仪器的GaN FET器件系列产品通过集成独特的功能和保护特性,来实现简化设计,达到更高的系统可靠性和优化高压电源的性能,为传统级联和独立的GaN FET提供了智能替代解决方案。通过集成的<100ns电流限制和过温检测,器件可防止意外的直通事件并防止热失控,同时系统接口信号可实现自我监控功能。
LMG3410R050、LMG3410R070和LMG3411R070的主要特性和优势
在德国慕尼黑电子展electronica访问德州仪器
德州仪器(TI)将在德国慕尼黑电子展(2018年11月13日至16日)的C4展厅-131展位展示一个10kW的云网格链接演示。由德州仪器和西门子联合开发的有源演示采用德州仪器的LMG3410R050 600V GaN FET,具有集成驱动器和保护功能,与传统的硅设计相比,帮助工程师实现99%的效率,功率元件尺寸可减少30%。
封装和供货
这些器件均采用8mm×8mm分割垫、方形扁平无引脚(QFN)封装,现可从TI商店处购买。LMG3410R050, LMG3410R070和LMG3411R070的订购单位为1000件。
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