上海2015年3月13日电 /美通社/ -- 随着集成电路设计线宽的不断缩小，生产过程中对于污染物的控制变得空前严格，随之而来的便是单片清洗工艺步骤的增加。以目前集成电路最为主流的28纳米产品为例，单片清洗步骤约占到总步骤的1/4。作为国内仅有的从事集成电路清洗设备的公司，盛美半导体所做的便是不断进行内功修炼，以满足主流集成电路生产的需求，目前在新产品上研发及相关评估上已有所突破。
去年Semicon China期间，盛美半导体带来了Ultra C SAPS III单片兆声波清洗机。该台清洗机在配合超稀化学液体 (ppm级别)使用后，可用于微小颗粒（小于65nm）去除以及化学氧化层控制，以替代传统‘Nano Spray’清洗技术，在薄膜沉积后的清洗领域有广泛的应用前景。盛美半导体的首席执行官王晖介绍称 “经过不断优化，该清洗机已于近日通过了韩国集成电路大厂的大生产线工艺评估，有望成为下一代微小颗粒清洗的主流设备”。
高产能、高良率、低占地面积是Ultra C SAPS III的二大亮点：该单片清洗机采用了两套机械传输机构，产能可以提升约15%。同时，该设备采用了三维堆栈结构，占地面积可以大大减小，仅为上一代8腔体单片清洗机的45%。
