SK海力士开始量产采用EUV技术的第四代10纳米级DRAM
SK海力士（或“公司”， www.skhynix.com）宣布已于7月初开始量产适用第四代10纳米（1a）级工艺的 8Gigabit（Gb） *LPDDR4 移动端DRAM产品。
SK海力士宣布M16新厂竣工
SK海力士在韩国京畿道利川总部以“We Do Technology，开启幸福”为主题举行M16新厂竣工仪式。为遵守防疫规定，公司缩小了本次活动规模，仅作为SK集团的内部活动举办。
SK海力士与大连市人民政府签署合作谅解备忘录 助力区域经济繁荣
1月29日，SK海力士与大连市人民政府、大连金普新区管委会通过视频方式正式签署合作谅解备忘录，双方将携手合作共同推进SK海力士对英特尔大连芯片厂的收购以及后续在大连的新投资项目，为中国信息技术产业的发展和大连区域经济繁荣做出更多新贡献。
SK海力士收购英特尔NAND闪存业务
SK海力士和英特尔在韩国时间10月20日共同宣布签署收购协议，根据协议约定，SK海力士将以90亿美元收购英特尔的NAND闪存及存储业务。
SK海力士推出全球首款DDR5 DRAM
SK海力士宣布推出全球首款DDR5 DRAM。DDR5是新一代DRAM标准，此次SK海力士推出的DDR5 DRAM作为超高速、高容量产品，尤其适用于大数据、人工智能、机器学习等领域。
SK海力士宣布开始量产超高速DRAM‘HBM2E’
SK海力士宣布开始量产超高速DRAM‘HBM2E’。这是公司去年8月宣布完成HBM2E开发仅十个月之后的成果。
SK海力士的低功耗企业级（eSSD）NVMe PCIe Gen4接口SSD：现在可提供样品
韩国首尔2020年4月7日 /美通社/ -- SK海力士（或“公司”，www.skhynix.com
