展出创新解决方案助推车载、AI、移动技术革新浪潮 深圳2024年11月6日 /美通社/ -- 2024年11月5日至11月10日，第七届中国国际进口博览会（以下简称"进博会"）在上海国家会展中心盛...
新款GDDR7提供了业界出众的容量和超过40Gbps的速度，极大提升了图形DRAM的性能，为未来应用注入强劲动力 今年将携手主要GPU客户进行验证，并计划于明年年初投入生产 深圳2024年10月1...
PM9E1采用三星的5nm控制器和第八代V-NAND， 性能和能效显著提升，适配人工智能 PC的需求 与上一代产品相比，其顺序读/写速度提升超过两倍， 分别高达14.5GB/s 和 13GB/s ...
256GB AM9C1使用先进的V-NAND技术，5nm制程控制器，提供SLC模式选项，速度目前为三星最快 更高的性能和可靠性，使此款SSD支持端侧AI功能，更适配下一代车载解决方案 深圳2024...
三星最新的QLC V-NAND综合采用了多项突破性技术，其中通道孔蚀刻技术能基于双堆栈架构实现最高单元层数 推出的三星首批QLC和TLC第九代V-NAND，为各种AI应用提供优质内存解决方案 深...
深圳2024年9月3日 /美通社/ -- 9月3日，由开放数据中心委员会 (ODCC) 主办的"2024开放数据中心峰会"在 北京国际会议中心隆重召开。三星电子副总裁兼闪存应用工程师团队负责人，沈昊俊...
三星LPDDR4X车载内存通过高通汽车模组验证 强大的车载存储解决方案产品阵容将确保供应链长久、稳定、可靠 深圳2024年8月27日 /美通社/ -- 三星电子今日宣布，其用于高级车载信息娱乐（...
深圳2024年8月8日 /美通社/ -- 8月8日，在北京举办的2024年开放计算中国峰会（OCP China）上，三星电子副总裁、先行开发团队负责人张实完（ Silwan Chang）发表了题为"A...
三星轻薄型LPDDR5X DRAM的封装厚度仅0.65mm，散热控制能力更强，适合端侧AI在移动端的应用 LPDDR封装采用12纳米级工艺，四层堆叠，在提升Die密度的同时，减少厚度，提高耐热性 ...
三星的10.7Gbps LPDDR5X在联发科技下一代天玑移动平台上完成验证 新款DRAM的功耗降低和性能提升均达25%左右，可延长移动设备的电池续航时间，并显著提升设备端AI功能的性能 深圳20...
新产品系列配备2亿像素和5000万像素传感器，缩小了主摄像头和副摄像头之间的差距，全方位增强了智能手机成像效果 深圳2024年6月27日 /美通社/ -- 6月27日，三星发布了三款专为智能手机主摄...
三星可直接验证包括CXL产品和软件在内的服务器配置元素， 该基础设施将加速产品开发周期，并为客户提供定制化解决方案 深圳 2024年6月25日 /美通社/ -- 今日，三星电子宣布已成功构建其首个...
深圳2024年4月25日 /美通社/ -- 2024年4月25日，三星半导体以"革新未来出行"为主题首次亮相第十八届北京国际汽车展览会（Auto China 2024, 以下简称北京国际车展）。北...
比三星上一代产品提高约50%的位密度(bit density) 通过先进的通道孔蚀刻技术（channel hole etching）提高生产效率 深圳2024年4月23日 /美通社/ -- 近日，...
功能亮点包括：性能提升25%、容量提高30%、能效提高25% 新型LPDDR5X是未来端侧人工智能的理想解决方案，预计将在个人电脑、加速器、服务器和汽车中得到更广泛的应用 深圳2024年4月17日...
深圳2024年3月20日 /美通社/ -- 在2024年CFMS闪存市场峰会上，三星半导体展示了其面向PC、移动端和服务器的多样化创新存储解决方案。三星电子执行副总裁兼解决方案产品工程师团队负责人吴...
三星推出其首款256GB SD Express microSD存储卡，其传输速度为三星现有接口速度的4倍以上 三星1TB UHS-1 microSD存储卡搭载其最新V-NAND技术，现已投入量产 ...
三星HBM3E 12H DRAM是目前三星容量最大的HBM，凭借三星卓越的12层堆叠技术，其性能和容量可大幅提升50%以上 先进的TC-NCF技术有效提升垂直密度和热性能 三星致力于满足人工智能时...
三星首次在业内成功验证其CXL内存与红帽最新操作系统在用户环境中的互操作性 这一进展将支持数据中心和企业客户利用CXL内存进行高性能计算，且无需对硬件进行重大调整 深圳2023年12月27日 /美...
ToF传感器ISOCELL Vizion 63D以卓越细节捕捉高分辨率3D图像 全局快门传感器ISOCELL Vizion 931精准捕捉高清动态瞬间 深圳2023年12月19日 /美通社/ --...
