SK海力士公司展示了321层4D NAND的样品，公开了其开发行业首款具有超过300层的NAND的进展。
该公司展示了其321层1Tb TLC 4D NAND Flash的开发进展，并在8月8日至10日在圣克拉拉举行的Flash Memory Summit（FMS）2023上展示了样品。
SK海力士是首家详细披露开发具有超过300层的NAND进展的公司。该公司计划提高321层产品的完成水平，并从2025年上半年开始大规模生产。
该公司表示，其从已经大规模生产的世界最高238层NAND的成功中积累的技术竞争力为321层产品的开发铺平了道路。 “通过另一次突破以解决堆叠限制，SK海力士将开启超过300层的NAND时代并引领市场。”
与早期的238层512Gb相比，321层1Tb TLC NAND的生产率提高了59％，这要归功于技术发展，该技术使更多单元格堆叠和更大存储容量在单个芯片上实现，这意味着可以在单个晶片上生产的总容量增加了。
FMS上，SK海力士还介绍了针对此类AI需求进行优化的下一代NAND解决方案，包括采用PCIe Gen5接口和UFS 4.0的企业SSD。
该公司预计这些产品将实现行业领先的性能，以充分满足高性能客户的需求。
SK海力士还宣布已经开始开发下一代PCIe Gen6和UFS 5.0，并表示致力于引领行业趋势。
（美通社头条）
